GOODRAM SSD IRDM Gen.3 512GB, M.2 PCIe NVMe Gen 3

GoodRam IRDM Gen.3

Získejte výkon, který několikanásobně překonává rozhraní SATA v kompaktním formátu s SSD IRDM 3. generace společnosti GoodRam, vybaveným 8-kanálovým ovladačem Phison E12 s DRAM bufferem. Jedná se o vysoce kvalitní SSD využívající 3D TLC NAND flash paměť. Poskytuje kapacitu 512 GB ve formátu M.2 2280. Pro připojení do zařízení využívá rozhraní PCIe Gen 3.0 x4. Nabízí rychlost čtení/zápisu až 3200/2000 MB/s a náhodného (4K) čtení/zápisu 295 000/500 000 IOPS. Má životnost 300 TBW. Disk má vysokou odolnost proti nárazům a otřesům.

Hlavní vlastnosti

• Rozhraní PCIe Gen 3.0 x4
• Rychlost čtení/zápisu až 3200/2000 MB/s
• Formát M.2 2280
• Ovladač Phison E12

Flexibilní formát

IRDM Gen.3 je dostupný v M.2 2280 formátu s PCIe rozhraním. Může být zapojen do nových základních desek pro stolní počítače a notebooky s kompatibilním M.2 portem, který podporuje NVMe standard.